Samsung ელექტრონიკა აპირებს 1 ტბ DDR5 მეხსიერების გამოშვებას ერთ მოდულში DRAM-ის წარმოებაში მიღწეული გარღვევის წყალობით.
სამხრეთ კორეული კომპანია განვითარებული მეხსიერების ინდუსტრიის პირველი 32 გიგაბიტიანი (GB) DDR5 ოპერატიული მეხსიერება უმაღლესი ტევადობით, 12 ნმ პროცესის გამოყენებით. ამის წყალობით Samsung შეძლებს 5TB DDR1 მეხსიერების მოდულების წარმოებას, მაგრამ 32GB DRAM-ზე გადასვლას კიდევ ერთი უპირატესობა აქვს. 5 ნმ პროცესით წარმოებულ არსებულ 16 GB DDR12 DRAM მოდულებთან შედარებით, 128 GB მოდულების ენერგიის მოხმარება 10%-ით შემცირდება.
Sang-Joon Hwan-ის, DRAM პროდუქტებისა და ტექნოლოგიების ვიცე პრეზიდენტის თქმით Samsung ელექტრონიკა, თავდაპირველად ამ მეხსიერების მთავარი მომხმარებლები იქნება მონაცემთა ცენტრები, ხელოვნური ინტელექტი და დიდი მონაცემები: „ჩვენი 32 გიგაბაიტი DRAM 12 ნმ კლასის მეხსიერების წყალობით, ჩვენ მივიღეთ გამოსავალი, რომელიც საშუალებას მოგვცემს შევქმნათ DRAM მოდულები მოცულობა 1 ტბ-მდე, რაც საშუალებას მოგვცემს ვიყოთ იდეალურად განლაგებული მაღალი სიმძლავრის ოპერატიული მეხსიერების მზარდი საჭიროების დასაკმაყოფილებლად AI (ხელოვნური ინტელექტი) და დიდი მონაცემების ეპოქაში… ჩვენ გავაგრძელებთ DRAM გადაწყვეტილებების შემუშავებას დიფერენცირებული წარმოების პროცესების გამოყენებით და დიზაინის ტექნოლოგიები მეხსიერების ტექნოლოგიის საზღვრების გადალახვის მიზნით.
მეტი მეხსიერება ნაკლებ სივრცეში ნაკლები ენერგიის მოხმარებით ყოველთვის პოპულარული იქნება მონაცემთა ცენტრის ოპერატორებში. თუმცა, მეხსიერების ეს ტექნოლოგია საბოლოოდ უნდა გადავიდეს DDR5 მოდულებზე, რომლებიც გამოიყენება ჩვენს დესკტოპ კომპიუტერებსა და ლეპტოპებში. ამჟამად, 192 GB მეხსიერების ნაკრები, რომელიც შედგება ოთხი მოდულისგან, ყველაზე მაღალი დონეა მომხმარებლებისთვის.
ასევე წაიკითხეთ: