მიკროსქემების იაპონური მწარმოებელი კიოქსია განვითარებული ფლეშ მეხსიერება NAND დაახლოებით 170 ფენით, უერთდება თავის ამერიკელ კოლეგას Micron Technology-ს და სამხრეთ კორეის SK Hynix-ს მოწინავე ტექნოლოგიების განვითარებაში.
ახალი NAND მეხსიერება შეიქმნა ამერიკელ პარტნიორთან ერთად Western Digital და შეუძლია მონაცემების ჩაწერა ორჯერ უფრო სწრაფად, ვიდრე Kioxia-ს ამჟამინდელი საუკეთესო პროდუქტი, რომელიც შედგება 112 ფენისგან.
ადრე ცნობილი როგორც Toshiba Memory, Kioxia გეგმავს გამოაქვეყნოს თავისი ახალი NAND საერთაშორისო მყარი მდგომარეობის კონფერენციაზე, ნახევარგამტარული ინდუსტრიის ყოველწლიურ გლობალურ ფორუმზე და გეგმავს მასობრივი წარმოების დაწყებას მომავალი წლიდან.
იგი იმედოვნებს, რომ დააკმაყოფილებს მონაცემთა ცენტრებთან და სმარტფონებთან დაკავშირებულ მოთხოვნას, რადგან მეხუთე თაობის უკაბელო ტექნოლოგიების გავრცელება იწვევს მონაცემთა გადაცემის მოცულობისა და სიჩქარის გაზრდას. მაგრამ კონკურენცია ამ სფეროში უკვე მძაფრდება: Micron და SK Hynix აცხადებენ თავიანთ ახალ პროდუქტებს.
Kioxia-მ ასევე მოახერხა თითო ფენაზე მეტი მეხსიერების უჯრედის მოთავსება თავისი ახალი NAND-ით, რაც იმას ნიშნავს, რომ მას შეუძლია ჩიპები 30%-ით უფრო პატარა გახადოს ვიდრე სხვები იგივე რაოდენობის მეხსიერებით. უფრო მცირე მიკროსქემები საშუალებას მისცემს უფრო მეტ მოქნილობას სმარტფონების, სერვერების და სხვა პროდუქტების შექმნისას.
ფლეშ მეხსიერების წარმოების გაზრდის მიზნით, Kioxia და Western Digital გეგმავენ 9,45 მილიარდი დოლარის ღირებულების ქარხნის მშენებლობას იაპონიაში, იოკაიდოში, ამ გაზაფხულზე. ისინი მიზნად ისახავს პირველი ხაზების ექსპლუატაციას უკვე 2022 წელს.
ასევე წაიკითხეთ: