მოსალოდნელია, რომ Samsung მომავალ კვირას გამოაცხადებს 3 ნმ ჩიპების მასობრივი წარმოების დაწყებას, იუწყება Yonhap News. ეს კომპანიას უსწრებს TSMC-ს, რომელიც სავარაუდოდ ამ წლის მეორე ნახევარში დაიწყებს 3 ნმ ჩიპების წარმოებას.
5 ნმ პროცესთან შედარებით (რომელიც გამოიყენებოდა Snapdragon 888-ისთვის და Exynos 2100-ისთვის), Samsung-ის 3 ნმ კვანძი შეამცირებს ფართობს 35%-ით, გაზრდის შესრულებას 30%-ით და შეამცირებს ენერგიის მოხმარებას 50%-ით.
ეს მიიღწევა Gate-All-Around (GAA) ტრანზისტორი დიზაინზე გადასვლით. ეს არის შემდეგი ნაბიჯი FinFET-ის შემდეგ, რადგან ის საშუალებას იძლევა ტრანზისტორების ზომა შემცირდეს დენის გატარების უნარის დარღვევის გარეშე. GAAFET დიზაინი, რომელიც გამოიყენება 3 ნმ კვანძზე, ნაჩვენებია ქვემოთ მოცემულ ფიგურაში.
აშშ-ის პრეზიდენტი ჯო ბაიდენი ქარხანას გასულ თვეში ეწვია Samsung პიონგტაეკში 3 ნმ ტექნოლოგიის დემონსტრირებაში მონაწილეობის მისაღებად Samsung. გასულ წელს გავრცელდა ხმები, რომ კომპანიამ შესაძლოა 10 მილიარდი დოლარის ინვესტიცია მოახდინოს ტეხასში 3 ნმ სამსხმელო საწარმოს მშენებლობაში. ეს ინვესტიციები $17 მილიარდამდე გაიზარდა, ქარხანა ფუნქციონირებას სავარაუდოდ 2024 წელს დაიწყებს.
ნებისმიერ შემთხვევაში, ყველაზე დიდი საზრუნავი ახალი კვანძის შექმნისას არის გამომავალი. გასული წლის ოქტომბერში Samsung განაცხადა, რომ 3 ნმ პროცესის შესრულება "მიუახლოვდება იმავე დონეს, როგორც 4 ნმ პროცესი". მიუხედავად იმისა, რომ კომპანიას არ წარმოუდგენია ოფიციალური მაჩვენებლები, ანალიტიკოსები მიიჩნევენ, რომ 4 ნმ კვანძი Samsung ასოცირებული იყო წარმოების გამომუშავების პრობლემებთან.
მეორე თაობის 3 ნმ კვანძი მოსალოდნელია 2023 წელს და კომპანიის საგზაო რუკა ასევე მოიცავს 2 ნმ MBCFET-ზე დაფუძნებულ კვანძს 2025 წელს.
თქვენ შეგიძლიათ დაეხმაროთ უკრაინას რუსი დამპყრობლების წინააღმდეგ ბრძოლაში. ამის საუკეთესო გზაა უკრაინის შეიარაღებული ძალებისთვის თანხების შემოწირულობა Savelife ან ოფიციალური გვერდის საშუალებით NBU.
ასევე წაიკითხეთ:
დატოვე პასუხი